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GlobalFoundries(格罗方德半导体有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平台上为物联网和汽车应用交付了首个可投入生产的eMRAM。并表示其先进的eMRAM为低功耗，非易失性代码和数据存储应用提供了一种经济高效的解决方案。
GF表示已进入生产阶段，并计划与多个客户合作，并计划在2020年实现多个生产磁带。GF的eMRAM旨在替代大容量嵌入式NOR闪存（eFLASH）。GF表示其eMRAM已通过了五项严格的实际焊锡回流测试，并在-40°C至125°C的温度范围内显示了100,000个循环的耐久性和10年的数据保留。FDXeMRAM解决方案支持AEC-Q100质量2级设计，并且正在开发中，以支持明年的AEC-Q100质量1级解决方案。
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